真空泵在半导体制造中的其他应用场景

原理：通过气态的化学物质在高温、真空环境下发生化学反应，在半导体晶圆表面沉积一层固态薄膜。

作用：真空泵用于维持反应腔室的真空环境，精确控制反应腔室的压力，使气态反应物能够均匀地分布在晶圆表面，保证薄膜沉积的均匀性和一致性，同时防止杂质混入薄膜中，影响半导体器件的性能。例如，在沉积二氧化硅薄膜用于芯片的绝缘层时，需要通过真空泵将腔室压力控制在合适范围，以获得高质量的绝缘薄膜。

原理：通过物理过程，如蒸发、溅射等，将金属或其他材料沉积在半导体晶圆表面形成薄膜。

作用：在蒸发镀膜过程中，真空泵迅速抽出腔室内的空气，使蒸发的金属原子能够在真空中自由飞行并均匀地沉积在晶圆表面。在溅射镀膜时，真空泵维持真空环境，保证溅射粒子能够高效地到达晶圆表面，同时避免气体分子对溅射粒子的散射和干扰，从而精确控制薄膜的厚度和质量，以满足半导体器件对不同金属薄膜的性能要求。

原理：利用化学或物理方法有选择地去除半导体晶圆表面的材料，形成精确的图案和结构。

作用：真空泵在刻蚀过程中起着关键作用，一方面它要快速抽出反应产生的废气，保持腔室内的清洁，防止废气积聚影响刻蚀效果；另一方面要精确控制腔室压力，确保刻蚀气体能够均匀地作用于晶圆表面，实现高精度的刻蚀，保证半导体器件的微小结构如晶体管、互连线等能够被准确地制造出来。

原理：将特定离子加速并注入到半导体晶圆中，以改变半导体的电学性质，形成不同的区域，如 P 型和 N 型半导体区域，从而制造出各种半导体器件。

作用：真空泵用于维持离子注入系统的真空环境，避免离子在传输过程中与空气分子发生碰撞而散射，保证离子能够准确地注入到晶圆的预定位置，并且具有精确的能量和剂量分布，从而实现对半导体器件性能的精确调控。

原理：将两片或多片晶圆通过物理或化学方法紧密结合在一起，形成多层结构的半导体器件。

作用：在晶圆键合过程中，真空泵首先将键合腔室抽至真空状态，去除晶圆表面的气体和杂质，使晶圆表面能够更好地接触和贴合。然后在真空环境下施加一定的压力和温度，促进晶圆之间的化学键合，提高键合强度和质量，确保多层晶圆之间的电气连接和机械稳定性，满足半导体器件的高性能要求。