半导体设备NANOHUNTER II日本理学Rigaku射荧光射线分析仪
半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

台式全内反射荧光X射线分析仪
可进行高灵敏度元素分析的台式全内反射荧光射线分析仪。

半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

半导体设备日本理学Rigaku射荧光射线分析仪

高强度/高灵敏度测量

这是一款采用全内反射荧光X射线分析的样品表面微量元素。配备高输出水冷X射线管和大面积SDD探测器，即使是台式设备，也能实现普通荧光X射线分析无法获得的高灵敏度分析。

通过添加内标元素、滴加、干燥，可以轻松分析饮用水或环境水中的ppb级痕量成分。

它适用于高基质样品的筛选分析，因为 ICP 分析存在的记忆效应和设备污染风险较小。此外，通过扫描入射X射线角度，可以在深度方向上分析样品表面上的沉积物和薄膜。

NANOHUNTER II 概述

高强度/高灵敏度测量

使用 600W 高功率 X 射线源、反射镜和大面积 SDD 可以进行高灵敏度测量。我们已实现有害元素 As、Se 和 Cd 的 ppb 级检测限。

可选择多种激发条件

在标准激发条件（Mo靶）下，可有效激发As、Pb等有害元素。
双结构多层膜允许使用高能激发条件（约30 keV），从而可以使用光谱相互重叠的Cd、Ag等的K线区域作为测量线。

可变入射角机构实现角度分辨测量

通过使用任意改变入射角的机制，现在不仅可以获得表面附近的元素信息，还可以获得深度方向的元素信息。

用于薄膜深度分析的 GI-XRF

在固体表面分析领域，需要比表面略深入的分析（主要是薄膜和厚膜领域）。 对于这种类型的分析，采用一种称为掠入射射线荧光 (GI -XRF) 的方法，通过改变 X 射线源的入射角来激发地下元素。 NANOHUNTER II TXRF 光谱仪的可变入射角可以对深度剖面进行表面分析。 GI -XRF技术适用于纳米级研究。

NANOHUNTER II 规格