半导体设备TXRF 310Fab理学Rigaku反射荧光X射线分析仪
半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线分析仪

采用转子式高输出X射线发生器和新设计的入射X射线单色仪。
使用直接TXRF测量方法实现了10 8 原子/cm 2的过渡金属LLD水平。 它可实现相同的精度和高通量，测量时间仅为封闭式 X 射线管的 1/3。

采用1靶3光束方式

该方法使用三种类型的光谱晶体来提取适合待测量元素的单色 X 射线束，并用它来激发污染物元素。 用于测量轻元素的W-Mα射线不会激发Si，因此可以分析Na、Mg和Al。从Na到U连续进行高精度自动分析。

通过消除衍射辐射，最大限度地减少散射辐射的影响

采用抑制高次反射的光学系统和 XY-θ 驱动台，X 射线入射方向自动选择功能消除了来自基板的衍射线，并可在散射线干扰最小的情况下实现高信噪比测量。 可以对整个晶圆表面进行精确且高精度的微量分析。

可将坐标与异物检查坐标数据关联

通过将异物检查装置的坐标数据导入TXRF装置，可以分析存在颗粒的位置的污染元素。 滴水轨迹搜索功能采用的算法，需要快速、准确的坐标。

高速晶圆内污染筛查“Sweeping-TXRF功能"

可以使用Sweeping-TXRF方法，该方法使用直接TXRF方法在晶圆表面上进行高速测量，以揭示污染物元素的分布。 可以在短时间内对整个晶圆表面进行污染分析，而这种分析无法通过表面内的 5 或 9 个点等代表性坐标测量来捕获。 仅需50分钟即可完成300mm晶圆整个表面5×10 10 个原子/cm 2污染的检测。除了污染元素的分布外，还可以通过对整个表面的测量值进行积分来计算晶片表面内的平均污染浓度。

边缘排除 0mm 无损、非接触式污染测量“ZEE-TXRF 功能"

我们实现了晶圆边缘附近的高灵敏度测量，这是以前使用 TXRF 方法无法测量的。 现在可以使用 TXRF 对污染集中的边缘区域进行污染分析。

晶圆背面全自动测量“BAC-TXRF功能"

EFEM内部安装了晶圆翻转机器人，实现了300mm晶圆背面污染物的全自动无人测量。 与 ZEE-TXRF 功能结合使用时，可以对晶圆各部分进行全面的污染分析和评估。

兼容 300mm 晶圆厂

Fab配备标准FOUP/SMIF接口，兼容300mm/200mm晶圆。 它还支持各种AMHS，并通过支持主机和SECS/GEM协议来支持CIM/FA。