详细介绍
半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线分析仪
半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线分析仪
TXRF-V310概述
可进行从 Na 到 U 的超痕量分析。 VPD-TXRF 的检测限 (LLD) 对于 Al 达到 108 水平,对于过渡金属达到 106 水平。从 VPD 预处理到 TXRF 测量全自动。 它还具有斜角收集VPD功能。
Rigaku的方法使用三种类型的光谱晶体来提取适合待测量元素的单色X射线束,并用它来激发污染物元素。 用于测量轻元素的W-Mα射线不会激发Si,因此可以分析Na、Mg和Al。从Na到U连续进行高精度自动分析。
采用抑制高次反射的光学系统和 XY-θ 驱动台,X 射线入射方向自动选择功能消除了来自基板的衍射线,并可在散射线干扰最小的情况下实现高信噪比测量。 可以对整个晶圆表面进行精确且高精度的微量分析。
通过将异物检查装置的坐标数据导入TXRF装置,可以分析存在颗粒的位置的污染元素。 滴水轨迹搜索功能采用算法,需要快速、准确的坐标。
可以使用Sweeping-TXRF方法,该方法使用直接TXRF方法在晶圆表面上进行高速测量,以揭示污染物元素的分布。 可以在短时间内对整个晶圆表面进行污染分析,而这种分析无法通过表面内的 5 或 9 个点等代表性坐标测量来捕获。仅需50分钟即可完成300mm晶圆整个表面5×10 10 个原子/cm 2污染的检测。除了污染元素的分布外,还可以通过对整个表面的测量值进行积分来计算晶片表面内的平均污染浓度。
我们实现了晶圆边缘附近的高灵敏度测量,这是以前使用 TXRF 方法无法测量的。 现在可以使用 TXRF 对污染集中的边缘区域进行污染分析。
EFEM内部安装了晶圆翻转机器人,实现了300mm晶圆背面污染物的全自动无人测量。 与 ZEE-TXRF 功能结合使用时,可以对晶圆各部分进行全面的污染分析和评估。
它配备了SDSA功能(Square Drop Search Algorism),可以快速准确地搜索VPD收集后受污染的干燥痕迹的位置坐标。
Fab配备标准FOUP/SMIF接口,兼容300mm/200mm晶圆。 它还支持各种AMHS,并通过支持主机和SECS/GEM协议来支持CIM/FA。
产品名称 | TXRF-V310 | |
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方法 | 全内反射荧光X射线(TXRF)/气相分解(VPD) | |
目的 | 微量元素表面污染的测量 | |
技术 | 自动 VPD 准备、3 光束激发和自动光学对准 | |
主要部件 | 自动VPD、旋转阳极阴极X射线源、XYθ样品台、无液氮检测器 | |
选项 | 用于全工厂自动化的 GEM-300 自动化软件 | |
外部(电脑) | 内部 PC、MS Windows® 操作系统 | |
机身尺寸 | 1200(宽)×2050(高)×2990(深)毫米 | |
重量 | 1650公斤(身体) | |
电源 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,125 A |
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