半导体设备XHEMIS TX-3000理学Rigaku反射荧光X射线光谱仪
半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线光谱仪

TXRF光谱仪
超快速金属污染测绘

兼容最大 300mm 晶圆

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详细介绍

半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线光谱仪

XHEMIS TX-3000 概述

检测限LLD（E10原子/cm²）	铝	铁	镍	铜
发射光谱	14	0.06	0.06	0.09

测量时间：1000秒

方法	全内反射X射线荧光分析（TXRF）
目的	快速无损测量痕量元素表面污染（Na - U）将绘图速度提高约 3 倍 E9 原子/cm² 的检测极限
技术	高灵敏度金属污染分析
主要部件	3 探测器配置高功率 W 对阴极 X 射线源（9 kW 旋转对阴极）针对轻元素、过渡元素和重元素优化的 3 种激发能量 XYθ 样品台 2 个 FOUP 装载端口
特征	全晶圆映射 (SWEEPING-TXRF)、零边缘排除 (ZEE-TXRF)
选项	背面分析 (BAC-TXRF)、GEM300 软件、E84/OHT 支持
机身尺寸	1280（宽）×3750（深）×2040（高）（不含监视器和信号塔）
测量结果	定量结果、光谱图、彩色等高线图、映射表

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