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详细介绍
半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线光谱仪
半导体设备理学Rigaku反射荧光X射线光谱仪
| 检测限LLD（E10原子/cm²） | 铝 | 铁 | 镍 | 铜 |
| 发射光谱 | 14 | 0.06 | 0.06 | 0.09 |
| VPD-TXRF | 0.1 | 0.001 | 0.001 | 0.002 |
测量时间：1000秒
| 方法 | 带气相分解 (VPD) 的全内反射 X 射线荧光分析 (TXRF) | |
|---|---|---|
| 目的 | 用于测量超痕量元素表面污染的 1E7 原子/cm² 检测限绘图速度 提高约 3 倍 | |
| 技术 | 集成自动 VPD 准备、三光束激发和自动光学交换 | |
| 主要部件 | 3 探测器配置 高功率 W 对阴极 X 射线源（9 kW 旋转对阴极） 针对轻元素、过渡元素和重元素优化的 3 种激发能量 XYθ 样品台 双 FOUP 负载端口 | |
| 特征 | 全晶圆测绘 (SWEEPING-TXRF) 零边缘排除 (ZEE-TXRF) 用于硅晶圆的集成自动 VPD 预处理 (VPD-TXRF) 双 FOUP 装载端口，实现最高灵敏度 | |
| 选项 | 背面分析 (BAC-TXRF) GEM300 软件、E84/OHT 支持 气相处理以提高灵敏度，同时保留空间信息 (VPT-TXRF) 用于亲水晶圆表面（例如 SiC）的 VPD | |
| 机身尺寸 | 1280（宽）x 3750（深）x 2040（高） （不含监视器和信号塔） | |
| 测量结果 | 定量结果、光谱图、彩色等高线图、映射表 | |
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